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CEDM8004 BK PBFREE

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  • CEDM8004 BK PBFREE
    CEDM8004 BK PBFREE

    CEDM8004 BK PBFREE

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 99457

  • Central Semiconductor Cor

  • SC-101, SOT-883

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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CEDM8004 BK PBFREE PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
CEDM8004 BK PBFREE 技術參數
  • CEDM8004 BK 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):450mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.1 歐姆 @ 430mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:SOT-883 標準包裝:5,000 CEDM8001VL TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:SOT-883VL 標準包裝:1 CEDM8001 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:SOT-883 標準包裝:1 CEDM8001 BK 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:SOT-883 標準包裝:5,000 CEDM7004VL TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):450mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):460 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:SOT-883VL 標準包裝:1 CEE2X90PF154FELF CEE2X92PF-102PY4 CEE2X92PF-102PY4LF CEE2X92PF-153PY4 CEE2X92PF-153PY4LF CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C CEFA101-G CEFA102-G CEFA103-G CEFA104-G CEFA105-G CEFA201-G
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