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CSD161610

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    CSD161610

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：駱小姐

    電話：18124020586

    地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world， A棟2203A

  • 90993

  • Hoffman Enclosures, Inc.

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • Pentair Technical Products / Hoffman
  • 功能描述
  • Wall-Mount Type 4,12 Enclosure Gray, 16.00x16.00x10.00, Steel
CSD161610 技術(shù)參數(shù)
  • CSD16128 功能描述:BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 容器類(lèi)型:盒 大小/尺寸:15.984" 長(zhǎng) x 12.008" 寬（406.00mm x 305.00mm） 高度:7.992"（203.00mm） 面積（L x W）:192 in2（1239 cm2） 設(shè)計(jì):鉸鏈?zhǔn)介T(mén)，蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:18 號(hào) 特性:密封墊，壁裝 等級(jí):IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級(jí):- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送 重量:16 磅（7.3kg） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16126 功能描述:BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 容器類(lèi)型:盒 大小/尺寸:15.984" 長(zhǎng) x 12.008" 寬（406.00mm x 305.00mm） 高度:5.984"（152.00mm） 面積（L x W）:192 in2（1239 cm2） 設(shè)計(jì):鉸鏈?zhǔn)介T(mén)，蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:18 號(hào) 特性:密封墊，壁裝 等級(jí):IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級(jí):- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送 重量:16 磅（7.3kg） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD15571Q2 功能描述:MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-SON（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD15380F3T 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1190 毫歐 @ 100mA， 8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.281nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD15380F3 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1190 毫歐 @ 100mA， 8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.281nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C CSD16325Q5 CSD16325Q5C CSD16327Q3 CSD16327Q3T CSD16340Q3 CSD16340Q3T CSD16342Q5A CSD163CEVM-591 CSD16401Q5 CSD16401Q5T CSD16403Q5A CSD16404Q5A CSD16406Q3 CSD16407Q5
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