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CSD16325Q5C/BKN

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CSD16325Q5C/BKN 技術參數(shù)
  • CSD16325Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 30A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON-EP(5x6) 標準包裝:1 CSD16325Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 30A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD16323Q3C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Ta),60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 24A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON 裸露焊盤(3x3) 標準包裝:1 CSD16323Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Ta),60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 24A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD16322Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 97A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Ta),97A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1365pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON 標準包裝:1 CSD16404Q5A CSD16406Q3 CSD16407Q5 CSD16407Q5C CSD16408Q5 CSD16408Q5C CSD16409Q3 CSD16410Q5A CSD16411Q3 CSD16412Q5A CSD16413Q5A CSD16414Q5 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B CSD16570Q5BT CSD17301Q5A
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