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CSD25485F5T

配單專家企業(yè)名單

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批號
價格
說明
操作

CSD25485F5T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業(yè)執(zhí)照
321163
TI
con
24+
-

CSD25485F5T
天陽誠業(yè)科貿有限公司
天陽誠業(yè)科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
321163
TI
con
24+
-

CSD25485F5T
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯系人：優(yōu)質現貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區(qū)振興路上步商務中心大廈205棟5A10
資質：營業(yè)執(zhí)照
53208
Texas Instruments
SMD
22+
-
優(yōu)勢代理，公司現貨可開票

CSD25485F5T
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321163
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

CSD25485F5T
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業(yè)執(zhí)照
321163
TI
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

CSD25485F5T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
321163
TI
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

CSD25485F5T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業(yè)執(zhí)照
3060
Ti
(YJK)
21
-
瑞智芯只有原裝

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CSD25485F5T 技術參數

CSD25485F5 功能描述:20V P-CHANNEL FEMTOFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:533pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 900mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD25484F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:94 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.14nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD25484F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.42nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:94 毫歐 @ 500mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD25483F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V LGA 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:205 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.96nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:198pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD25483F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V LGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:205 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.959nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:198pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V CSD4315A.A0-900035 CSD43301Q5M CSD44V CSD46V CSD4-7152/39-26-1A CSD4-7152/39-26-3A CSD4-7152/39-26-4A CSD4-7152/39-26-5A