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CSD87355Q5D

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD87355Q5D
    CSD87355Q5D

    CSD87355Q5D

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:陳先生 13360533550

    電話:0755-83289799

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路漢國城市商業(yè)中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 12721

  • TI(德州儀器)

  • 22+

  • -
  • 原裝原廠現(xiàn)貨

  • CSD87355Q5D
    CSD87355Q5D

    CSD87355Q5D

  • 深圳市深科創(chuàng)科技有限公司
    深圳市深科創(chuàng)科技有限公司

    聯(lián)系人:吳先生/吳小姐/朱先生

    電話:0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址:深圳市福田區(qū)航都大廈17F1可提供13%增值稅發(fā)票

  • 7500

  • TI/德州儀器

  • QFN

  • 2020+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨 渠道優(yōu)勢庫存 假一罰十

  • CSD87355Q5D
    CSD87355Q5D

    CSD87355Q5D

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18724450645

    地址:中國上海

  • 320361

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • CSD87355Q5D
    CSD87355Q5D

    CSD87355Q5D

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 320361

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD87355Q5D
    CSD87355Q5D

    CSD87355Q5D

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 60388

  • Texas Instruments

  • LSON-CLIP-8

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • CSD87355Q5D
    CSD87355Q5D

    CSD87355Q5D

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
CSD87355Q5D PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • 2 N 溝道(雙)非對稱型
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • -
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • -
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 13.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 1860pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 12W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • *
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerLDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-LSON(5x6)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD87355Q5D 技術(shù)參數(shù)
  • CSD87353Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 歐姆 @ 4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3190pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87352Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 15V 功率 - 最大值:8.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87351ZQ5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1255pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87351Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.6 毫歐 @ 20A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1255pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87350Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 20A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1770pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND CSD88539NDT CSD88584Q5DC CSD88584Q5DCT CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD95372AQ5M CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC
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