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CSD87384MEVM-603

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 操作
  • CSD87384MEVM-603
    CSD87384MEVM-603

    CSD87384MEVM-603

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生

    電話：137602720171852080514813487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 9167

  • Texas Instruments

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • CSD87384MEVM-603
    CSD87384MEVM-603

    CSD87384MEVM-603

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 百分百原裝 假一罰十

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
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CSD87384MEVM-603 技術(shù)參數(shù)
  • CSD87384M 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-LGA 供應(yīng)商器件封裝:5-PTAB（5x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87381PT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16.3 毫歐 @ 8A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:564pF @ 15V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-LGA 供應(yīng)商器件封裝:5-PTAB（3x2.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87381P 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16.3 毫歐 @ 8A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:564pF @ 15V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-LGA 供應(yīng)商器件封裝:5-PTAB（3x2.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87355Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1860pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87353Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.4 歐姆 @ 4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3190pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND CSD88539NDT CSD88584Q5DC CSD88584Q5DCT CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD95372AQ5M CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC CSD95372BQ5MCT CSD95372BQ5MT CSD95373AQ5M CSD95373BQ5M CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M
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