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CSD16340Q3

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
CSD16340Q3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CSD16340Q3 技術參數
  • CSD16327Q3T 功能描述:CSD16327Q3T 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 CSD16327Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 毫歐 @ 24A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD16325Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):33A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 30A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON-EP(5x6) 標準包裝:1 CSD16325Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):33A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 30A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD16323Q3C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Ta),60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 24A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON 裸露焊盤(3x3) 標準包裝:1 CSD16407Q5C CSD16408Q5 CSD16408Q5C CSD16409Q3 CSD16410Q5A CSD16411Q3 CSD16412Q5A CSD16413Q5A CSD16414Q5 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5 CSD17304Q3
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