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CSD17381F4

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
CSD17381F4 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 30 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 12 V
  • 漏極連續電流
  • 3.1 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 160 mOhms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SMD-3
  • 封裝
  • Reel
CSD17381F4 技術參數
  • CSD17327Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12.2 毫歐 @ 11A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):506pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD17322Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):87A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.8 毫歐 @ 14A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):695pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD17318Q2T 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):879pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):16W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15.1 毫歐 @ 8A, 8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WSON(2x2) 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 CSD17313Q2T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 4A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON(2x2) 標準包裝:1 CSD17313Q2Q1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:汽車級,AEC-Q100,NexFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 4A,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON(2x2) 標準包裝:1 CSD17506Q5A CSD17507Q5A CSD17510Q5A CSD17522Q5A CSD17527Q5A CSD17551Q3A CSD17551Q5A CSD17552Q3A CSD17552Q5A CSD17553Q5A CSD17555Q5A CSD17556Q5B CSD17556Q5BT CSD17559Q5 CSD17559Q5T CSD17570Q5B CSD17570Q5BT CSD17571Q2
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