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參數資料
型號: CGH27030F
廠商: CREE INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 30 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX
中文描述: S BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝: ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 698K
代理商: CGH27030F
Subject to change without notice.
www.cree.com/wireless
CGH27030F
30 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX
Cree’s CGH27030F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility
transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and
wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27030F ideal for 2.3-
2.9GHz WiMAX and BWA amplifier applications. The transistor is supplied
in a ceramic/metal flange package.
Package Type: 440166
PN: CGH27030F
PRELIMINARY
R
Features
2.3 - 2.9 GHz Operation
>13.5 dB Small Signal Gain
26 % Drain Efficiency at 4 W P
OUT
3.7C/W Typical thermal resistance under 4.0 W P
AVE
OFDM
WiMAX Fixed Access 802.16-2004 OFDM
WiMAX Mobile Access 802.16e OFDMA
Typical Performance Over 2.3-2.7GHz
(T
C
= 25C)
of Demonstration Amplifier
Parameter
2.3 GHz
2.4 GHz
2.5 GHz
2.6 GHz
2.7 GHz
Units
Small Signal Gain
14.1
13.8
13.5
13.2
13.0
dB
EVM @ 21 dBm
2.3
2.1
1.7
1.7
1.9
%
EVM @ 36 dBm
1.7
1.7
1.8
1.8
2.0
%
Drain Efficiency @ 36 dBm
26.0
26.2
26.0
25.8
25.7
%
Input Return Loss
7.9
7.2
6.6
6.4
7.2
dB
Note:
Measured in the CGH27030F-TB amplifier circuit, under 802.16-2004 OFDM, 3.5 MHz Channel BW, 1/4 Cyclic Prefix,
64 QAM Modulated Burst, Symbol Length of 59, Coding Type RS-CC, Coding Rate Type 2/3.
相關PDF資料
PDF描述
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參數描述
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CGH272T500X4C 功能描述:鋁質電解電容器-螺旋式接線端 2700uF 500V-10+50% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 電容:2400 uF 容差:- 10 %, + 50 % 電壓額定值:450 V ESR:38 mOhms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 系列:CGS 直徑:76 mm (3 in) 長度:143 mm (5.625 in) 引線間隔:31.75 mm (1.25 in) 產品:Computer Grade Electrolytic Capacitors
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