型號: | CM600HA-28H |
廠商: | Mitsubishi Electric Corporation |
英文描述: | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
中文描述: | 大功率開關使用絕緣型 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 49K |
代理商: | CM600HA-28H |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CM600HA-28H | Single IGBTMOD 600 Amperes/1400 Volts |
CM600HA-5F | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
CM600HA-5F | Trench Gate Design Single IGBTMOD⑩ 600 Amperes/250 Volts |
CM600HN-5F | HIGH POWER SWITCHING USE |
CM600HU-12F | HIGH POWER SWITCHING USE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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CM600HA-5F | 功能描述:IGBT MOD SGL 250V 600A F SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
CM600HA-5F_00 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
CM600HB-24A | 功能描述:IGBT MOD SGL 1200V 600A A SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
CM600HB-90H | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
CM600HB-90H_05 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |