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參數資料
| 型號： | CM600HU-12F |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE |
| 中文描述： | 大功率開關使用 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | CM600HU-12F |
Aug. 1999
CM600HU-12F
4–
φ
6.5
MOUNTING HOLES
2–M8NUTS
2–M4NUTS
E
G
E
C
G
E
C
E
CM
1
8
9
20.5
107
93
±
0.25
6
4
±
0
2
+
–
3
+
–
4
2
2
8
1
6
1
6
13.5
29
18
26
1
LABEL
CIRCUIT DIAGRAM
Tc measured point
RTC
APPLICATION
General purpose inverters & Servo controls, etc
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM600HU-12F
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C...................................................................
600A
V
CES ............................................................
600V
Insulated Type
1-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM600HU-12F | Trench Gate Design Single IGBTMOD⑩ 600 Amperes/600 Volts |
| CM600HU-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM600HU-12H | Single IGBTMOD 600 Amperes/600 Volts |
| CM600HU-24F | HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM600HU-24F | Trench Gate Design Single IGBTMOD⑩ 600 Amperes/1200 Volts |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CM600HU-12F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM600HU-12H | 功能描述:IGBT MOD SGL 600V 600A H SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM600HU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM600HU-24F | 功能描述:IGBT MOD SGL 1200V 600A F SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM600HU-24F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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