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參數資料
| 型號： | CZT3120 |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | CZT3120 |
MAXIMUM RATINGS
(TA=25
0
C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
UNITS
V
V
V
A
W
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
120
70
7.0
3.0
2.0
TJ, Tstg
Θ
JA
-65 to +150
0
C
62.5
0
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25
0
C)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
fT
TEST CONDITIONS
VCB=80V
VEB=5.0V
IC=50μA
IC=10mA
IE=50μA
IC=2.0A, IB=200mA
IC=2.0A, VCE=1.0V
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=500mA
VCE=5.0V, IC=3.0A
VCE=10V, IC=500mA, f=1.0MHz
MIN
TYP
MAX
1.0
1.0
UNITS
μA
μA
V
V
V
mV
V
120
70
7.0
160
90
15
250
0.95
170
165
75
500
1.1
100
100
40
8.0
300
MHz
CZT3120
NPN SILICON SWITCHING
POWER TRANSISTOR
SOT-223 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R0 (12-March 2002)
DESCRIPTION:
The Central Semiconductor CZT3120 NPN
Switching Power Transistor, manufactured by the
epitaxial planar process, combines both power
and high speed switching characteristics in a
SOT-223 Surface Mount Package. Typical
applications include drivers, DC-DC converters,
and general fast switching applications.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CZT3150 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-223 |
| CZT651 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-223 |
| CZT7120 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-223 |
| CZT751 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-223 |
| CZT900K | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CZT3120_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON SWITCHING POWER TRANSISTOR |
| CZT3150 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Bipolar Power Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CZT3150_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| CZT31C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Bipolar Power Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CZT31C BK | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CZT Series 100 V 3 A NPN SMT Complementary Silicon Power Transistor - SOT-223 |
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