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DFE252012F-100M=P2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DFE252012F-100M=P2
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
215610
MURATA
2025+
-

DFE252012F-100M=P2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
MURATA/村田
原裝封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

DFE252012F-100M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

DFE252012F-100M=P2
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
3000
MURATA
價格優勢
2450
-
全新原裝渠道現貨

DFE252012F-100M=P2
深圳市品業電子有限公司
深圳市品業電子有限公司
聯系人：李小姐
電話：0755-23895664
地址：華強街道振華路深紡大廈C座2樓2H55
52577
TOKO
SMD
咨詢
-
庫存每天變動，最好QQ咨詢

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DFE252012F-100M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DFE252012F-100M=P2 PDF下載

功能描述
10μH Shielded Inductor 950mA 480 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012F
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
類型
-
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
10μH
容差
±20%
額定電流
950mA
電流 - 飽和值
1.6A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
480 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.047"（1.20mm）
標準包裝
1

DFE252012F-100M=P2 技術參數

DFE252010R-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 276 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:276 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252010R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.7A 126 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.7A 電流 - 飽和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:126 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252010R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 90 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2.1A 電流 - 飽和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:90 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252010R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 68 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:68 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252010P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3A 48 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:680nH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:4.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:48 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R82M=P2 DFE252012P-1R0M=P2 DFE252012P-1R5M=P2 DFE252012P-2R2M=P2 DFE252012P-3R3M=P2 DFE252012P-4R7M=P2 DFE252012PD-1R0M=P2 DFE252012P-R33M=P2 DFE252012P-R47M=P2 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3 DFEG10040D-1R0M=P3