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參數資料
| 型號： | D2007 |
| 廠商： | TT electronics Semelab Limited |
| 英文描述： | METAL GATE RF SILICON FET |
| 中文描述： | 金屬門射頻硅場效應管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 17K |
| 代理商： | D2007 |
D2007UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 2/98
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage
Gate – Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
29W
65V
±20V
2A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
1
2
3
4
A
M
F
E
D
C
B
H
J
I
G
K
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
5W – 28V – 400MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOW C
rss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM
DA
PIN 1
SOURCE
PIN 2
DRAIN
PIN 3
SOURCE
PIN 4
GATE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
VHF/UHF COMMUNICATIONS
from DC to 500 MHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D2007UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D2008UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(5W-28V-400MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(5W-28V-400MHz,單端式)) |
| D2008 | METAL GATE RF SILICON FET |
| D2008UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D200LC40B | Super Fast Recovery Rectifiers(400V 200A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| D2007 | 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 1.5VA 2X 9V |
| D2007UK | 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| D2008 | 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 1.5VA 2 X 12V |
| D2008 | 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 1.5VA 2X 12V |
| D-200-82 | 功能描述:端子 CLAMP RING 27.94x2.16mm RD RoHS:否 制造商:AVX 產品:Junction Box - Wire to Wire 系列:9826 線規:26-18 接線柱/接頭大小: 絕緣: 顏色:Red 型式:Female 觸點電鍍:Tin over Nickel 觸點材料:Beryllium Copper, Phosphor Bronze 端接類型:Crimp |
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