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參數資料
| 型號： | DG646BH |
| 英文描述： | GTO Thyristors - Disc / Puk Devices |
| 中文描述： | GTO晶閘管-光盤/北辰設備 |
| 文件頁數： | 13/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | DG646BH |
DG646BH25
13/19
20
30
40
50
60
70
Rate of rise of reverse gate current dI
GQ
/dt - (A/μs)
30
25
20
15
10
G
g
Conditions:
C
= 2.0μF,
I
T
= 2000A
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
On-state current I
T
- (A)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
G
g
μ
s
Conditions:
C
S
= 2.0
μ
F,
dI
GQ
/dt = 40A/
μ
s
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
Fig.21 Gate storage time vs rate of rise of reverse gate current
Fig.22 Gate fall time vs on-state current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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