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參數資料
| 型號： | DG646BH |
| 英文描述： | GTO Thyristors - Disc / Puk Devices |
| 中文描述： | GTO晶閘管-光盤/北辰設備 |
| 文件頁數： | 16/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | DG646BH |
DG646BH25
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70
Rate of rise of reverse gate current dI
GQ
/dt - (A/μs)
8000
7000
6000
5000
4000
T
G
Conditions:
C
= 2.0μF,
I
T
= 2000A
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
0
0.1
500
1000
R
-
μ
s
Gate cathode resistance R
GK
- (Ohms)
Fig.28 Rate of rise of off-state voltage vs gate cathode resistance
V
D
= 1650V
V
D
= 1250V
1.0
10
100
1000
T
j
= 125
C
Fig.27 Turn-off gate charge vs rate of rise of reverse gate current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| DG648BH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
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