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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIR882DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIR882DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIR882DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8-SOIC 2,836 1:$2.84000
25:$2.18720
100:$1.98450
250:$1.78200
500:$1.53900
1,000:$1.29600
SIR882DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8-SOIC 2,836 1:$2.84000
25:$2.18720
100:$1.98450
250:$1.78200
500:$1.53900
1,000:$1.29600
SIR882DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8-SOIC 0 3,000:$1.09350
6,000:$1.05300
15,000:$1.01250
30,000:$0.99225
75,000:$0.97200
SI1400DL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-6 0 3,000:$0.20925
6,000:$0.19575
15,000:$0.18225
30,000:$0.17213
75,000:$0.16875
150,000:$0.16200
SIE868DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK 5,945 1:$2.84000
25:$2.18720
100:$1.98450
250:$1.78200
500:$1.53900
1,000:$1.29600
SIE868DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK 5,945 1:$2.84000
25:$2.18720
100:$1.98450
250:$1.78200
500:$1.53900
1,000:$1.29600
SIE868DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK 3,000 3,000:$1.09350
6,000:$1.05300
15,000:$1.01250
30,000:$0.99225
75,000:$0.97200
SIR882DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 60A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.7 毫歐 @ 20A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1930pF @ 50V
功率 - 最大: 83W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: Digi-Reel®
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