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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIA425EDJ-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIA425EDJ-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIA425EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V SC-70-6 3,000 3,000:$0.17050
6,000:$0.15950
15,000:$0.14850
30,000:$0.14025
75,000:$0.13750
150,000:$0.13200
SIA425EDJ-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫歐 @ 4.2A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: -
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 15.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-70-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SC-70-6 單
包裝: 帶卷 (TR)
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