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分離式半導體產品 SI1021R-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI1021R-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A 11,480 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A 11,480 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A 9,000 3,000:$0.16000
SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 4,364 1:$0.55000
25:$0.38520
100:$0.33000
250:$0.28500
500:$0.24500
1,000:$0.19000
SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 4,364 1:$0.55000
25:$0.38520
100:$0.33000
250:$0.28500
500:$0.24500
1,000:$0.19000
SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 3,000 3,000:$0.15500
6,000:$0.14500
15,000:$0.13500
30,000:$0.12750
75,000:$0.12500
150,000:$0.12000
SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP 4,808 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI1021R-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 190mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 23pF @ 25V
功率 - 最大: 250mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-75A
供應商設備封裝: SC-75A
包裝: Digi-Reel®
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