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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD250N06N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPD250N06N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPD250N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 4,820 1:$0.96000
10:$0.82500
25:$0.73800
100:$0.65130
250:$0.56448
500:$0.47762
1,000:$0.37993
IPD250N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 4,820 1:$0.96000
10:$0.82500
25:$0.73800
100:$0.65130
250:$0.56448
500:$0.47762
1,000:$0.37993
IPD250N06N3 G • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 28A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫歐 @ 28A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 11µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 30V
功率 - 最大: 36W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: Digi-Reel®
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