IGBT 模塊 BSM150GB120DN2品牌、價格、PDF參數
BSM150GB120DN2 • 品牌、價格
| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格(人民幣) |
|---|---|---|---|---|
| BSM150GB120DN2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 1200V 150A DUAL | 可訂貨 |
BSM150GB120DN2 • PDF參數
| 類別: | RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊 |
|---|---|
| 描述: | IGBT 模塊 1200V 150A DUAL |
| RoHS: | 否 |
| PDF參數: | 
|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 產品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Half Bridge Module |
| 集電極—發射極最大電壓 VCEO | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.5 V |
| 在25 C的連續集電極電流 | 210 A |
| 柵極—射極漏泄電流 | 320 nA |
| 功率耗散 | 1.25 KW |
| 最大工作溫度 | + 150 C |
| 封裝 / 箱體 | Half Bridge2 |
| 封裝 |
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