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EPC2036

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

EPC2036
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

EPC2036
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
49270
EPC
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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功能描述
TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
65 毫歐 @ 1A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 600μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
0.91nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
90pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
標準包裝
1

EPC2036 技術參數

EPC2035 功能描述:TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 1A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 800μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:115pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2034ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:940pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2034ENGR 功能描述:TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:940pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC2034 功能描述:TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:GaNFET (Gallium Nitride) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2033ENGRT 功能描述:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1140pF @ 75V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104