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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F49L160BA-90T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/51頁(yè) |
| 文件大小： | 454K |
| 代理商： | F49L160BA-90T |
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ES MT
F49L160UA/F49L160BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Dec. 2006
Revision: 1.3 32/51
Figure 10. Embedded Chip Erase Timing Waveform
Notes :
SA = Sector Address (for Sector Erase, VA = Valid Address for reading status data
(see "Write Operation Status")
Address
CE
W E
OE
2AAh
555h
VA
VA
t
W C
t
A S
Erase Com mand Sequence(last two cycle)
Read Status Data
t
A H
t
CH
t
G H W L
t
W P
t
CS
t
W P H
55h
t
DS
t
DH
10h
P r o I n
t
W HW H 2
Data
t
RB
t
B US Y
RY/BY
t
V C S
VC C
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PDF描述 |
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