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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F49L160BA-90T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 44/51頁(yè) |
| 文件大小： | 454K |
| 代理商： | F49L160BA-90T |
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ES MT
F49L160UA/F49L160BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Dec. 2006
Revision: 1.3 44/51
Figure 22. Toggle Bit Timing Waveforms (During Embedded Algorithms)
Notes :
VA = Valid Address; not required for DQ6. Figure shows first status cycle after command sequence, last status
read cycle, and array data read cycle.
Address
CE
OE
W E
t
AC C
DQ6/DQ2
RY/BY
t
CE
VA
VA
t
RC
t
O E
t
O E H
t
CH
t
D F
t
O H
V a i l d S t a t u s
t
B US Y
VA
V a i l d S t a t u s
VA
High-Z
( f i r s t r e a d )
( s e c o n d r e a d )
V a i l d D a t a
( s t o p s t o g g l i n g )
V a i l d D a t a
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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