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參數資料
| 型號： | F49L160BA-90T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁數： | 43/51頁 |
| 文件大小： | 454K |
| 代理商： | F49L160BA-90T |
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ES MT
F49L160UA/F49L160BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Dec. 2006
Revision: 1.3 43/51
Figure 21. Data Polling Timings (During Embedded Algorithms)
Notes :
VA = Valid Address. Figure shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array
data read cycle.
W E
Address
CE
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Com p l em en t
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S t a t u s D a t a
S t a t u s D a t a
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Vai l d Dat a
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DQ0~DQ6
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B US Y
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| F49L400BA-70T | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| F49L160BA-90TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
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