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參數資料
| 型號： | F49L400UA |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8/256K × 16）3V時僅閃存的CMOS |
| 文件頁數： | 40/47頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | F49L400UA |
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EFS T
F49L400UA/F49L400BA
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Sep. 2006
Revision: 1.1 40/47
Figure 22. Toggle Bit Timing Waveforms (During Embedded Algorithms)
Notes :
VA = Valid Address; not required for DQ6. Figure shows first status cycle after command sequence, last status
read cycle, and array data read cycle.
Address
CE
OE
W E
t
AC C
DQ6/DQ2
RY/BY
t
CE
VA
VA
t
RC
t
O E
t
O E H
t
CH
t
D F
t
O H
V a i l d S t a t u s
t
B US Y
VA
V a i l d S t a t u s
VA
High-Z
( f i r s t r e a d )
( s e c o n d r e a d )
V a i l d D a t a
( s t o p s t o g g l i n g )
V a i l d D a t a
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F49L400UA-70T | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400UA-90T | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800BA | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800BA-70T | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800BA-90T | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| F49L400UA-70T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400UA-90T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800BA | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800BA-70T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800BA-70TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
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