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參數資料
| 型號： | F49L800BA-70T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁數： | 28/47頁 |
| 文件大小： | 435K |
| 代理商： | F49L800BA-70T |
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ES MT
F49L800UA/F49L800BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : May. 2007
Revision: 1.2 28/47
Figure 10. Embedded Chip Erase Timing Waveform
Notes :
SA = Sector Address (for Sector Erase, VA = Valid Address for reading status data
(see "Write Operation Status")
Address
CE
W E
OE
2AAh
555h
VA
VA
t
W C
t
A S
Erase Com mand Sequence(last two cycle)
Read Status Data
t
A H
t
CH
t
G H W L
t
W P
t
CS
t
W P H
55h
t
DS
t
DH
10h
P r o I n
t
W HW H 2
Data
t
RB
t
B US Y
RY/BY
t
V C S
VC C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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