- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375748 > FB15R06KL4B1 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) Variable Capacitance Diode for Digital audio; Ratings VR (V): 15; Characteristics n: 3.25 to 3.70; Characteristics rs (ohm) max: 0.75; Characteristics C (pF) max: C0.5 = 7.20 to 7.80 C2.5 = 2.05 to 2.35; Characteristics CVR/CVR: 0.5/2.5; Cl: -; Package: MP6 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FB15R06KL4B1 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Variable Capacitance Diode for Digital audio; Ratings VR (V): 15; Characteristics n: 3.25 to 3.70; Characteristics rs (ohm) max: 0.75; Characteristics C (pF) max: C0.5 = 7.20 to 7.80 C2.5 = 2.05 to 2.35; Characteristics CVR/CVR: 0.5/2.5; Cl: -; Package: MP6 |
| 中文描述： | 19 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-26 |
| 文件頁數(shù)： | 5/13頁 |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | FB15R06KL4B1 |
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Vorlufig
preliminary
I
C
V
CE
[V]
I
C
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
I
C
= f (V
CE
)
output characteristic inverter (typical)
V
GE
= 15 V
0
5
10
15
20
25
30
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
3,50
4,00
4,50
5,00
Tj = 25°C
Tj = 125°C
0
5
10
15
20
25
30
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
3,50
4,00
4,50
5,00
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
Vge=12V
Vge=15V
Vge=20V
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
I
C
= f (V
CE
)
output characteristic inverter (typical)
T
vj
= 125°C
5(12)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FB180SA10 | Power MOSFET |
| FB250-C1000G | FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS |
| FB125-C1000G | FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS |
| FB380-C1000G | FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS |
| FB40 | FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FB15R06VE3ENG | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FB15R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FB15R06W1E3BOMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| FB15R06W1E3ENG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| FB160 | 功能描述:DIODE TVS 160VR 2200W FOLDBACK RoHS:否 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> TVS - 二極管 系列:Foldbak 標準包裝:2,000 系列:TransZorb® 電壓 - 反向隔離（標準值）:8V 電壓 - 擊穿:8.89V 功率（瓦特）:500W 電極標記:單向 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-204AC（DO-15） 包裝:帶盒（TB） |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。