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參數資料
| 型號： | FD200R12KE3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Technische Information / technical information |
| 中文描述： | 295 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-5 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | FD200R12KE3 |
Technische Information / technical information
FD200R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
-
1,65
2,15
V
-
1,65
-
V
-
210
-
A
-
270
-
A
-
30
-
μC
-
56
-
μC
-
14
-
mJ
-
26
-
mJ
R
thJC
-
-
0,12
K/W
-
-
0,20
K/W
-
-
0,15
K/W
Anschlüsse / terminals M6
2,5
-
5,0
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
=300A, -di
F
/dt= 3000A/μs
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
I
F
=300A, -di
F
/dt= 3000A/μs
Q
r
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
V
F
forward voltage
I
F
= 300A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
=300A, -di
F
/dt= 3000A/μs
I
RM
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Charakteristische Werte / characteristic values
Chopperdiode / chopper diode
Durchlassspannung
I
F
= 300A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Innere Isolation
internal insulation
case, see appendix
3,0
340
g
weight
G
Gewicht
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Inversdiode / free wheel diode
Innerer Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Chopper Diode / chopper diode
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
M
CTI
Schraube M6 / screw M6
425
Gehuse, siehe Anlage
Al
2
O
3
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
-40
-
125
-
0,01
-
-
-
150
K/W
°C
°C
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1W/m*K /
λ
grease
= 1W/m*K
operation temperature
6,0
Nm
°C
T
stg
-40
-
125
-
T
vj max
Lagertemperatur
storage temperature
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
T
vj op
Thermische Eigenschaften / thermal properties
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
übergangs Wrmewiderstand
Nm
terminal connection torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
M
3 (8)
DB_FD200R12KE3_3.0
2002-10-02
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD3000AU-120DA | HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE |
| FD300R12KE3 | Technische Information / technical information |
| FD5000AV-100DA | MITSUBISHI RECTIFIER DIODE |
| FD500JV-90DA | Card Edge Connector; Number of Contacts:98; Pitch Spacing:1mm; Tail Length:2.30mm; Contact Termination:Solder; Connector Mounting:PC Board; Contact Material:Phosphor Bronze; Contact Plating:Tin; Leaded Process Compatible:Yes |
| FD64 | 64-Pin, Low Profile Quad Flat Package, LQFP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FD200R12KF-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| FD200R12KL-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| FD200R65KF1-K | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD200R65KF2-K | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 6500V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD2015LA06 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FD 2P 15A W/AUX SW 1A-1B RH TERM L&L |
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