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參數資料
| 型號： | FD200R12KE3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Technische Information / technical information |
| 中文描述： | 295 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-5 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | FD200R12KE3 |
Technische Information / technical information
FD200R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Kriechstrecke
creepage distance
20
mm
11
mm
clearance distance
Luftstrecke
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8)
DB_FD200R12KE3_3.0
2002-10-02
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD3000AU-120DA | HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE |
| FD300R12KE3 | Technische Information / technical information |
| FD5000AV-100DA | MITSUBISHI RECTIFIER DIODE |
| FD500JV-90DA | Card Edge Connector; Number of Contacts:98; Pitch Spacing:1mm; Tail Length:2.30mm; Contact Termination:Solder; Connector Mounting:PC Board; Contact Material:Phosphor Bronze; Contact Plating:Tin; Leaded Process Compatible:Yes |
| FD64 | 64-Pin, Low Profile Quad Flat Package, LQFP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FD200R12KF-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| FD200R12KL-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| FD200R65KF1-K | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD200R65KF2-K | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 6500V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD2015LA06 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FD 2P 15A W/AUX SW 1A-1B RH TERM L&L |
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