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參數(shù)資料
| 型號： | FD800R33KF2C-K |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Technische Information / technical information |
| 中文描述： | 1300 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-9 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | FD800R33KF2C-K |
7
Technische Information / technical information
FD800R33KF2C-K
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-6-13
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehuseabmessungen / package outlines
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD800R33KF2 | IGBT-Module |
| FDA15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_07 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_F109 | 500V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FD800R33KL2C-K_B5 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD807-03 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| FD8-10 | 功能描述:電源變壓器 100VA 10V CT @ 10A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
| FD8-12 | 功能描述:電源變壓器 100VA 12.6VCT @ 8.0A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
| FD8-120 | 功能描述:電源變壓器 100VA 120VCT @ 0.85A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
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