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參數資料
| 型號： | FDA16N50_07 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 500V N溝道MOSFET |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 310K |
| 代理商： | FDA16N50_07 |
4
www.fairchildsemi.com
FDA16N50 Rev. B
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
* Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 8.3 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
* Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100 ms
DC
1 ms
10
μ
s
10 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
* Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
o
C]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
* N otes :
1. Z
θ
JC
(t) = 0.6
2. D uty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
o
C /W M ax.
single pulse
D=0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, Square W ave Pulse Duration [sec]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA16N50_F109 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA18N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50_07 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA2712 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34mヘ |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDA18N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA200ES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| FDA200S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| FDA20N50 | 功能描述:MOSFET 500V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA20N50_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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