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參數資料
| 型號： | FDAF59N30 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 300V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 34 A, 300 V, 0.056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 772K |
| 代理商： | FDAF59N30 |
3
www.fairchildsemi.com
FDAF59N30 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperatue
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
12
10
0
10
1
10
2
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250μ s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
25
50
75
100
125
150
175
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
0.12
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
0
10
1
10
2
150
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
3000
6000
9000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Note ;
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 150V
V
DS
= 240V
V
DS
= 60V
Note : I
D
= 59A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDAF62N28 | 280V N-Channel MOSFET |
| FDAF69N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDAF75N28 | 280V N-Channel MOSFET |
| FDB035AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5mз |
| FDB045AN08 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.5mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDAF62N28 | 功能描述:MOSFET 280V 36A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDAF69N25 | 功能描述:MOSFET 150V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDAF75N28 | 功能描述:MOSFET 280V 46A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FD-AFM2 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:PHOLOELECTRIC SENSOR |
| FD-AFM2E | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORAREA REFLECTIVE 10.85MM 2 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER |
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