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參數資料
| 型號： | FDB14AN06LA0 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | VARISTOR STD 60VRMS 3225 SMD |
| 中文描述： | 10 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 250K |
| 代理商： | FDB14AN06LA0 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0 Rev. B
F
SPICE Thermal Model
REV January 2004
FDP14AN06LA0T
CTHERM1 TH 6 2.5e-3
CTHERM2 6 5 3e-3
CTHERM3 5 4 4e-3
CTHERM4 4 3 7e-3
CTHERM5 3 2 8.2e-3
CTHERM6 2 TL 5e-2
RTHERM1 TH 6 4.2e-2
RTHERM2 6 5 8.4e-2
RTHERM3 5 4 1.04e-1
RTHERM4 4 3 1.14e-1
RTHERM5 3 2 2.74e-1
RTHERM6 2 TL 3.44e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDP14AN06LA0T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =2.5e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =3e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =4e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =7e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =8.2e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =5e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =4.2e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =8.4e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =1.04e-1
rtherm.rtherm4 4 3 =1.14e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =2.74e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =3.44e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP14AN06LA0 | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| FDP14AN06LA | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз |
| FDB14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FDB14N30TM | 300V N-Channel MOSFET |
| FDB20AN06A0 | N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m??? |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB14AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB14N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
| FDB14N30TM | 功能描述:MOSFET 300V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB150N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB15N50 | 功能描述:MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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