- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375764 > FDB14AN06LA0 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) VARISTOR STD 60VRMS 3225 SMD PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDB14AN06LA0 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | VARISTOR STD 60VRMS 3225 SMD |
| 中文描述： | 10 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/11頁(yè) |
| 文件大小： | 250K |
| 代理商： | FDB14AN06LA0 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0 Rev. B
F
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 1V
0
Q
gs2
Q
g(TOT)
V
GS
= 5V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP14AN06LA0 | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| FDP14AN06LA | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз |
| FDB14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FDB14N30TM | 300V N-Channel MOSFET |
| FDB20AN06A0 | N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m??? |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDB14AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB14N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
| FDB14N30TM | 功能描述:MOSFET 300V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB150N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB15N50 | 功能描述:MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。