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參數資料
| 型號： | FDB16AN08A0 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16mз |
| 中文描述： | 9 A, 75 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | FDB16AN08A0 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP16AN08A0 / FDB16AN08A0 Rev. A1
F
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
20
40
60
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
SINGLE PULSE
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
100
700
50
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP16N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDPF16N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDP18N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDPF18N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDP20N50F | N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 20A, 0.26ヘ |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB-2 | 功能描述:化學物質 FITMENT 10/PACK RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 產品:Adhesives 類型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外殼:Plastic Tube |
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| FDB2050 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:TYPE FDB BREAKER 2P 50A/250VDC MAX 10K OR 600VAC MAX 14K AIC |
| FDB2070 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:TYPE FDB BREAKER 2P 70A/250VDC MAX 10K OR 600VAC MAX 14K AIC |
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