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參數(shù)資料
| 型號： | FDB52N20TM |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 52 A, 200 V, 0.049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 |
| 封裝： | LEAD FREE, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 684K |
| 代理商： | FDB52N20TM |
7
www.fairchildsemi.com
FDB52N20 Rev. A
F
Mechanical Dimensions
D2-PAK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB5680 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDF5680 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDP5680 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDB5686 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDB5690 | 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDB5645 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB5680 | 功能描述:MOSFET USE 512-FDB20AN06A0 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB5686 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDB5690 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB5800 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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