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參數資料
| 型號： | FDP5680 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 40 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/16頁 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | FDP5680 |
FDP5680/FDB5680 Rev. C
July 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
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°
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Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
FDP5680
FDB5680
Units
V
DSS
V
GSS
I
D
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Drain Current - Continuous
- Pulsed
Total Power Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
Operating and Storage Junction Temperature Range
60
±
20
40
120
65
0.43
V
V
A
W
P
D
W/
°
C
°
C
T
J
, T
STG
-65 to +175
Thermal Characteristics
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
2.3
62.5
°
C/W
°
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDB5680
FDP5680
Device
FDB5680
FDP5680
Reel Size
13
’’
Tube
Tape Width
24mm
N/A
Quantity
800
45
S
D
G
S
G
D
TO-220
FDP Series
D
G
S
TO-263AB
FDB Series
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB5686 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDB5690 | 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
| FDP5690 | 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
| FDB5800 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDB6021P | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDP5680_Q | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP5690 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP5690_Q | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP5800 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP5N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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