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參數資料
| 型號： | FDB603AL |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 33 A, 30 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 414K |
| 代理商： | FDB603AL |
FDP603AL Rev.D
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 25A
V = 5.0V
20V
10V
0.1
0.3
1
4
10
30
60
100
200
500
1000
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
0.5
1
3
5
10
20
30
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V))
I
D
100μs
1ms
10ms
100ms
R Lmt
DS(ON)
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 3 C/W
T = 25 °C
JC
10μs
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
400
800
1200
1600
2000
SINGLE PULSE TIME (ms)
P
SINGLE PULSE
R =3.0° C/W
T = 25°C
JC
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t , TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R JC
R JC
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP603AL | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管) |
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| FDP6644 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDB6670AS_NL | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB603AL_Q | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB604 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB606 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB610 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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