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參數資料
| 型號： | FDB8874 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 21 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | FDB8874 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8874 Rev. A2
F
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18.
Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 1V
0
Q
gs2
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
Q
g(5)
V
GS
= 5V
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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