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參數(shù)資料
型號(hào): FDC6320C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: Dual N & P Channel , Digital FET
中文描述: 220 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù): 5/7頁(yè)
文件大小: 100K
代理商: FDC6320C
FDC6320C.Rev C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 8. Gate Charge Characteristics
.
0.1
0.5
1
2
5
10
25
1
2
3
5
10
20
30
DS
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Capacitance Characteristics
.
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
(continued)
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 0.2A
V = 5.0V
0.5
1
2
5
10
20
40
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.8
V , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
DC
1s
100ms
1ms
RDS(ON)LMT
V = 2.7V
SINGLE PULSE
R =See note 1b
T = 25°C
GS
10ms
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =See note 1b
T = 25°C
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
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PDF描述
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