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參數資料
| 型號： | FDC6320C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N & P Channel , Digital FET |
| 中文描述： | 220 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | FDC6320C |
FDC6320C.Rev C
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
Figure 11. On-Region Characteristics
.
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
Figure 13. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 16. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
Figure 14. On Resistance
Variation with
Gate-To- Source Voltage.
0
1
2
3
4
0
0.05
0.1
0.15
0.2
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
V = -5.0V
D
-4.5
-2.7
-2.5
-2.0
-3.0
-3.5
-4.0
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.5
1
1.5
2
-I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
V = -2.0 V
D
-3.5
-4.5
-2.7
-2.5
-3.0
-4.0
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -2.7V
I = -0.05A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
25
-V ,GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -0.05A
A
125 °C
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
-1
-0.75
-0.5
-0.25
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -5V
DS
TJ
125°C
25°C
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.01
0.1
0.5
-
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6321C | Dual N & P Channel , Digital FET |
| FDC6322 | Dual N & P Channel , Digital FET |
| FDC6322C | Dual N & P Channel , Digital FET |
| FDC6323 | Integrated Load Switch |
| FDC6323L | Integrated Load Switch |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDC6320C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC6320C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC6321C | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC6321C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SUPERSOT-6 |
| FDC6321C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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