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參數資料
| 型號： | FDC634 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -溝道增強型場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | FDC634 |
FDC634P Rev.C
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
15
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
V = -4.5V
D
-2.5
-2.0
-3.0
-1.5
-3.5
0
3
6
9
12
15
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.0 V
R
D
-3.5
-4.5
-2.5
-3.0
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics.
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
15
-
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
Figure 4. On Resistance
Variation with
Gate-To- Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -4.5V
I = -3.5A
1
2
3
4
5
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -1.8A
T = 125°C
J
25°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
3
6
9
12
15
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -5.0V
J
125°C
25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC634P | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(P溝道增強型MOS場效應晶體管) |
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| FDC637BNZ | N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 6.2A, 24mヘ |
| FDC638APZ | P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET -20V, -4.5A, 43mohm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDC634P. | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P CH 20V 3.5A SSOT6 |
| FDC634P. | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:Du 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CH MOSFET, -20V, 3.5A SUPER SOT-6 |
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| FDC636P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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