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參數資料
型號: FDD2582
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66m
中文描述: 3.7 A, 150 V, 0.066 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝: TO-252AA, 3 PIN
文件頁數: 10/11頁
文件大小: 268K
代理商: FDD2582
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD2582 Rev. B
F
SPICE Thermal Model
REV 19 July 2002
FDD2582
CTHERM1 TH 6 1.6e-3
CTHERM2 6 5 4.5e-3
CTHERM3 5 4 5.0e-3
CTHERM4 4 3 8.0e-3
CTHERM5 3 2 8.2e-3
CTHERM6 2 TL 4.7e-2
RTHERM1 TH 6 3.3e-2
RTHERM2 6 5 7.9e-2
RTHERM3 5 4 9.5e-2
RTHERM4 4 3 1.4e-1
RTHERM5 3 2 2.9e-1
RTHERM6 2 TL 6.7e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDD2582
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =1.6e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =4.5e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =5.0e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =8.0e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =8.2e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =4.7e-2
rrtherm.rtherm1 th 6 =3.3e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =7.9e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =9.5e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =1.4e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =2.9e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =6.7e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關PDF資料
PDF描述
FDD2612 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD2670 XTAL MTL T/H HC49/US
FDD26AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
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相關代理商/技術參數
參數描述
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FDD2612 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD2670 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FDD26AN06A0_11 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 36A, 26m??
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