- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375771 > FDD2582 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66m PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDD2582 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66m |
| 中文描述： | 3.7 A, 150 V, 0.066 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | TO-252AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | FDD2582 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD2582 Rev. B
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
150
2000
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 75V
D
= 21A
I
D
= 7A
WAVEFORMS IN
DESI
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD2612 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD2670 | XTAL MTL T/H HC49/US |
| FDD26AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD306P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDD3570 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDD2582_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD2612 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD2670 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD26AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 36A 26 OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD26AN06A0_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 36A, 26m?? |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。