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參數資料
| 型號： | FDD4685 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 40V P-Channel PowerTrench MOSFET -40V -32A 27m ohm |
| 中文描述： | 8.4 A, 40 V, 0.042 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | FDD4685 |
F
M
FDD4685 Rev.B
www.fairchildsemi.com
5
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
N
I
θ
J
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
2
P
DM
t
1
t
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5202P | P-Channel, Logic Level, MOSFET |
| FDD5612 | 2MM SOCKET STRIPS |
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| FDD5614P | 60V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDD4685-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDD4685 Series 40 V 27 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet TO-252 |
| FDD4685TF_SB82135 | 功能描述:MOSFET -40V/-32A/27 OHM PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD4N60NZ | 功能描述:MOSFET 2.5A Output Current GateDrive Optocopler RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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