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參數資料
| 型號： | FDD5690 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 30 A, 60 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | TO-252, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | FDD5690 |
3#
'
(
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
1
10
100
300
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =
96
°
C/W
JA
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
500
1000
1500
2000
2500
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0
20
40
60
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
o
C/W
T
A
= 25
o
C
)*+!#,
-!.*+
.
/
/
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
o
C/W
T
A
= 25
o
C
DC
10S
1S
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 9A
V
DS
= 10V
20V
30V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5810 | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 35A, 27mOhm |
| FDD6035 | N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
| FDD6035AL | N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
| FDD603AL | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDD6530A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDD5690 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| FDD5690_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDD5755 | 制造商:ELMEC 功能描述: 制造商:ELMEC 功能描述:Electronic Component |
| FDD5755C | 制造商:ELMEC 功能描述: 制造商:ELMEC 功能描述:Electronic Component |
| FDD5810 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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