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參數資料
| 型號： | FDD6630A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 21 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | FDD6630A |
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G
S
D
TO-252
S
D
G
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
DSS
Drain-Source Voltage
V
GSS
Gate-Source Voltage
I
D
Maximum Drain Current -Continuous
(Note 1)
Ratings
30
±
20
21
7.6
100
28
3.2
1.3
-55 to +150
Units
V
V
A
(Note 1a)
Maximum Drain Current -Pulsed
Maximum Power Dissipation @ T
C
= 25
o
C
(Note 1)
T
A
= 25
o
C
(Note 1a)
T
A
= 25
o
C
(Note 1b)
Operating and Storage Junction Temperature Range
P
D
W
T
J
, T
stg
°
C
Thermal Characteristics
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to- Case
(Note 1)
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to- Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
4.5
40
96
°
C/W
°
C/W
°
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
Tape Width
Quantity
FDD6630A
FDD6630A
13’’
16mm
2500
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDD6637 | 35V P-Channel PowerTrench-R MOSFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDD6637 | 功能描述:MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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