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參數資料
| 型號： | FDD6N25TF |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 4.4 A, 250 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | LEAD FREE, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 686K |
| 代理商： | FDD6N25TF |
3
www.fairchildsemi.com
FDD6N25 / FDU6N25 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperatue
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
12
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
* Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
1
2
3
4
5
6
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
* Note : T
J
= 25
o
C
R
D
]
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
0
10
1
150
o
C
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
o
C
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Note :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 125V
V
DS
= 200V
V
DS
= 50V
* Note : I
D
= 6A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6N25TM | 250V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50F | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTF | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTM | N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDD6N25TM | 功能描述:MOSFET 250V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTF | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD6N50FTM | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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