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參數資料
| 型號： | FDI038AN06A0 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mз |
| 中文描述： | 17 A, 60 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AB |
| 封裝： | TO-262AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 280K |
| 代理商： | FDI038AN06A0 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 Rev. A1
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.9
1.0
1.1
1.2
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
-80
-40
0
40
80
120
160
200
100
1000
0.1
1
10
60
10000
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 80A
I
D
= 40A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP038AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mз |
| FDI2532 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2532 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP2532 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDI33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDI038AN06A0_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 3.8m?? |
| FDI038AN06A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDI038N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 168A, 4.0mW |
| FDI040N06 | 功能描述:MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDI045N10A | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:PowerTrench® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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